Planar AFARilla on merkittäviä etuja painon ja koon suhteen verrattuna muihin ratkaisuihin. AFAR -rainan massa ja paksuus pienenevät useita kertoja. Tämän ansiosta niitä voidaan käyttää pienikokoisissa tutkapäässä, UAV -aluksissa ja uuden luokan antennijärjestelmissä - muodollisissa antenniryhmissä, ts. toistamalla kohteen muoto. Tällaiset verkot ovat esimerkiksi välttämättömiä seuraavan, kuudennen sukupolven taistelijan luomiseksi.
JSC "NIIPP" kehittää monikanavaisia integroituja tasomaisia vastaanottavia ja lähettäviä AFAR-moduuleja käyttäen LTCC-keramiikkateknologiaa, jotka sisältävät kaikki AFAR-kankaan elementit (aktiiviset elementit, antennilähettimet, mikroaaltosignaalin jakelu- ja ohjausjärjestelmät, toissijainen virtalähde, joka ohjaa digitaalista ohjainta liitäntäpiirillä, nestejäähdytysjärjestelmällä) ja ovat toiminnallisesti täydellinen laite. Moduulit voidaan yhdistää minkä tahansa kokoisiksi antenniryhmiksi, ja huomattavan luontaisen integroinnin myötä tukirakenteelle asetetaan vähimmäisvaatimukset, joiden on yhdistettävä tällaiset moduulit. Tämän ansiosta loppukäyttäjien on paljon helpompi luoda AFAR tällaisiin moduuleihin perustuen.
Alkuperäisten suunnitteluratkaisujen ja uusien ja lupaavien materiaalien, kuten matalan lämpötilan yhteispoltetun keramiikan (LTCC), komposiittimateriaalien, JSC NIIPP: n kehittämien monikerroksisten nestejäähdytysrakenteiden ansiosta erittäin integroidut tasomaiset APM: t erottuvat seuraavista:
JSC "NIIPP" on valmis kehittämään ja järjestämään S, C, X, Ku, Ka -kaistojen tasomaisten vastaanotto-, lähetys- ja lähetys AFAR -moduulien sarjatuotannon kiinnostuneen asiakkaan vaatimusten mukaisesti.
JSC NIIPP: llä on edistyksellisin asema Venäjällä ja maailmassa tasomaisten APAR-moduulien kehittämisessä käyttäen LTCC-keramiikkatekniikkaa.
Lainata:
TOMSKin ohjausjärjestelmien ja radioelektroniikan yliopistossa tehdyn GaAs- ja SiGe -mikroaaltouunien integroitujen piirien, elementtikirjastojen ja CAD -moduulien luomisen tutkimus- ja kehityskompleksin tulokset.
Vuonna 2015 REC NT aloitti mikroaaltouunin MIC suunnittelun universaalille monikaistaiselle monikanavaiselle lähetinvastaanottimelle (L-, S- ja C-kaistat) "järjestelmän sirulla" (SoC) muodossa. Tähän mennessä 0,25 μm SiGe BiCMOS -tekniikan perusteella on suunniteltu seuraavien laajakaistaisten mikroaaltolaitteiden (taajuusalue 1-4,5 GHz) MIS: t: LNA, mikseri, digitaalinen ohjattu vaimennin (DCATT) sekä DCATT-ohjauspiiri.
Lähtö: Lähitulevaisuudessa Yak-130: n, UAV: n, KR: n ja OTR: n etsijän tutkan "ongelma" ratkaistaan erittäin vakavalla tasolla. Suurella todennäköisyydellä voidaan olettaa, että "tuote, jolla ei ole analogia maailmassa". AFAR "painoluokassa" 60-80 kg (pysyn hiljaa noin Yak-130: n 220 kg-270 kg: n tutka-massalta vaaditulta)? Kyllä Helppo. Haluatko saada täyden 30 kg AFAR: n?
Sillä välin … Vaikka "näin on":
Sarjalentokoneita ei vielä ole. Venäjän federaatio ei edes ajatellut myydä sitä Kiinalle ja Indonesialle (tässä olisi parempi käsitellä SU-35), mutta … Lockheed Martinin edustaja ja "joukko" asiantuntijoita "Venäjältä ovat jo ennustaneet: se tulee kalliiksi, tulee ongelmia Kiinan ja Indonesian myynnissä. Venäjän / Neuvostoliiton ilmailutekniikan "jälkeenjääneisyyden" historiasta "useille" asiantuntijoille "Venäjältä, viitteenä:
GaN ja sen kiinteät ratkaisut ovat modernin elektroniikan suosituimpia ja lupaavimpia materiaaleja. Tähän suuntaan tehdään työtä ympäri maailmaa, konferensseja ja seminaareja järjestetään säännöllisesti, mikä edistää nopeaa teknologian kehitystä GaN -pohjaisten elektronisten ja optoelektronisten laitteiden luomiseksi. Läpimurto havaitaan sekä GaN: iin ja sen kiinteisiin liuoksiin perustuvien LED -rakenteiden parametreissa että galliumnitridiin perustuvien PPM -ominaisuuksien ominaisuuksissa, jotka ovat suuruusluokkaa korkeampia kuin gallium -arsenidi -laitteet.
Vuoden 2010 aikana kenttätransistorit, joiden Ft = 77,3 GHz ja Fmax = 177 GHz, tehon lisäys on yli 11,5 dB 35 GHz: llä. Näiden transistorien pohjalta kehitettiin ja toteutettiin ensimmäistä kertaa Venäjällä MIS kolmivaiheiselle tehovahvistimelle taajuusalueella 27–37 GHz, jonka kp> 20 dB ja jonka suurin lähtöteho on 300 mW pulssitila. Liittovaltion tavoiteohjelman "Elektronisten komponenttien ja radioelektroniikan kehittäminen" mukaisesti tieteellisen ja soveltavan tutkimuksen kehittämistä tähän suuntaan odotetaan. Erityisesti InAlN / AlN / GaN-heterostruktuurien kehittäminen laitteiden luomiseksi, joiden toimintataajuus on 30-100 GHz, johtavien kotimaisten yritysten ja instituutioiden (FSUE NPP Pulsar, FSUE NPP Istok, ZAO Elma-Malakhit, JSC) kanssa "Svetlana-Rost", ISHPE RAS jne.).
Kotimaisten heterorakenteiden ja transistorien parametrit, joiden portti on optimaalinen niiden perusteella (laskelma):
Kokeellisesti on havaittu, että Ka-taajuusalueella tyypin 2 heterorakenteet, joiden tb = 15 nm ovat optimaalisia, joista nykyään Si-substraatilla V-1400 ("Elma-malakiitti") on parhaat parametrit, mikä takaa luomisen transistoreista, joiden alkuvirta on enintään 1,1 A / mm, enintään 380 mA / mm: n kaltevuudella ja -4 V: n katkaisujännitteellä. / tB = 12) fT / fMAX = 62/130 GHz ilman lyhyen kanavan tehosteita, mikä on optimaalista PA PA-kaistalle. Samaan aikaan transistoreilla, joiden LG = 100 nm (LG / tB = 8) on sama heterostruktuuri, on korkeammat taajuudet fT / fMAX = 77/161 GHz, eli niitä voidaan käyttää korkeamman taajuuden V- ja E- taajuuksilla, mutta lyhyen kanavan tehosteet eivät ole optimaalisia näille taajuuksille.
Katsotaan yhdessä kehittyneintä "ulkomaalaista" ja tutkaamme:
Retro: farao-M-tutka, joka on nyt menneisyyttä (se oli suunniteltu asennettavaksi Su-34, 1.44, Berkutiin). Palkin halkaisija 500 mm. Ei-yhtä kaukana olevat AJOVALOT "Phazotron". Joskus häntä kutsutaan myös nimellä "Spear-F".
Selitykset:
Tasoteknologia - joukko teknologisia toimintoja, joita käytetään tasomaisten (tasomaisten, pintapuolisten) puolijohdelaitteiden ja integroitujen piirien valmistuksessa.
Sovellus:
-antenneille: BlueTooth -tasomaiset antennijärjestelmät matkapuhelimissa.
- muuntimet IP ja PT: tasomaiset muuntajat Marathon, Zettler Magnetics tai Payton.
- SMD -transistoreille
jne. katso tarkemmin Venäjän federaation patentti RU2303843.
LTCC -keramiikka:
Low Temperature Co-Fired Ceramic (LTCC) on alhaisessa lämpötilassa käytettävä rinnakkaiskäyttöinen keraaminen tekniikka, jota käytetään mikroaaltosäteilylaitteiden, kuten Bluetooth- ja WiFi-moduulien, luomiseen monissa älypuhelimissa. Se on laajalti tunnettu sen käytöstä viidennen sukupolven hävittäjän T-50 ja neljännen sukupolven T-14-säiliön AFAR-tutkojen valmistuksessa.
Tekniikan ydin on se, että laite on valmistettu painetun piirilevyn tapaan, mutta se sijaitsee lasisulalla. "Matala lämpötila" tarkoittaa, että paahtaminen suoritetaan noin 1000 ° C: n lämpötilassa 2500 ° C: n sijaan HTCC-tekniikassa, kun on mahdollista käyttää ei-kalliita korkean lämpötilan komponentteja molybdeenistä ja volframista HTCC: ssä, mutta myös halvempaa kuparia kultaa ja hopeaa seokset.
